12月21日新闻，据Cnews报导，俄罗斯已颁布自立研发的光刻机道路图，目的是打造比ASML体系更经济的EUV光刻机。这些光刻机将采取波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML 应用的尺度13.5nm波长。因而，新技巧无奈与现有EUV基本设备相容，须要俄罗斯自行开辟配套的曝光生态体系，可能须要数年乃至十年以上时光。该光刻机开辟打算由俄罗斯迷信院微不雅构造物理研讨所的Nikolay Chkhalo引导，目的是制作出机能具竞争力且具本钱上风的光刻机。详细来说，俄罗斯将采取11.2nm的氙（xenon）基镭射光源，代替ASML 的基于激光轰击金属锡（tin）液滴发生EUV光源的体系。Chkhalo表现，11.2nm的波长能将辨别率晋升约20%，不只能够简化计划并下降光学元件的本钱，还能浮现更精致的细节。别的，该计划可增加光学元件的传染，延伸网络器跟维护膜等要害整机的寿命。俄罗斯曝光机还可应用硅基光阻剂，预期在较短波长下将具有更杰出的机能表示。只管该光刻机的晶圆制作产能仅为ASML 装备的37%，重要由于其光源功率仅3.6 千瓦，但也足以敷衍小范围芯片出产需要。只管11.2nm波长仍属于极其紫外线光（EUV）谱范围，但这并非纯真的小幅调剂。由于全部光学元件包含反射镜、涂层、光罩计划以及光阻剂，都须要针对新的波上进行特殊计划与优化。因而，镭射光源、光阻化学、传染把持及其余声援技巧也须从新计划，才干确保在11.2nm波长下的无效运作。以11.2nm波长为基本的东西很难直接兼容现有以13.5nm为基本EUV架构与生态体系，乃至连电子计划主动化（EDA）东西也须要停止更新。固然现有EDA 东西仍可实现逻辑分解、规划跟路由等基础步调，但波及曝光的要害制程，如光罩材料筹备、光学附近校订（OPC）跟剖析度加强技巧（RET），则须要从新校准或进级为合适11.2nm的新制程模子。据报导，该光刻机的开辟任务将分为三个阶段，第一阶段将聚焦于基本研讨、要害技巧辨识与开端元件测试；第二阶段将制作每小时可处置60 片200 毫米晶圆的原型机，并整合至海内芯片出产线；第三阶段的目的是打造一套可供工场应用的体系，每小时可处置60 片300 毫米晶圆。现在还不明白这些新的曝光东西将声援哪些制程技巧，道路图也未提到各阶段实现的时光表。义务编纂：雪花文章内容告发 ]article_adlist--> 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->